2019 Q2 Hynix виробить процесорну пам’ять другого покоління 10 покоління

  Компанія SK hynix нещодавно виявила, що компанія збільшить виробництво DRAM першого покоління (тобто 1X нм) і розпочне продаж своєї технології виробництва 10 нанометрів другого покоління (також відома як 1Y нм) у другій половині рік. Пам'ять. Прискорення переходу на 10-нм технологію дозволить компанії збільшити вихід DRAM, в кінцевому рахунку зменшивши витрати і підготувавшись до пам'яті нового покоління.

Першою продукцією, виготовленою за технологією виробництва SK Hynix 1Y нм, буде чип пам'яті 8 Гбіт DDR4-3200. Виробник каже, що це може зменшити розмір мікросхеми 8Gb DDR4 пристроїв на 20% та зменшити його енергоспоживання на 15% порівняно з аналогічними пристроями, виготовленими за його технологією виготовлення 1X нм. Крім того, майбутня мікросхема SK Hynix 8Gb DDR4-3200 має два важливі удосконалення: 4-фазова схема тактового керування та технологія управління підсилювачем Sense.

Хоча ці технології важливі навіть для DDR4 цього року, говориться, що SK hynix використовуватиме свій виробничий процес 1Y нм для виробництва DDR5, LPDDR5 та GDDR6 DRAM. Тому Hynix повинен якомога швидше оновити свою технологію виготовлення 10 нанометрів другого покоління, щоб підготуватися до майбутнього.